Скопируйте готовый код используя комбинацию клавиш Ctrl+C.
Непосредственное образование пентафторгалогена путём взаимодействия фтора и другого галогена имеет место при 200-300°С, повышенном давлении, сопровождается большим расходом и неполным использованием фтора и сильной коррозией аппаратуры. Т.е. для возбуждения реакции и требуемой ее скорости необходима высокая энергия частиц, которая обычно достигается при нагревании. Нагревание, в свою очередь, приводит к сильной коррозии и к потерям вещества: Cl2 + 5 F2 =(t=300; P=10a)=> 2 ClF5; MeO + F2 => MeFx .
В патенте 290530 (выданном в СССР на имя французской компании КАЭ) использованы промежуточные реакции (получение трифторхлора, его соединение с фторидом цезия), протекающие при более низких температурах (до 100°С) и давлениях: CsF + ClF3 =(20°С)=> CsClF4 =(+ F2, 100°С, 1 атм)=> CsF + ClF5.
Как обеспечить протекание реакции при минимальной температуре, при которой почти нет коррозии оборудования?
Источник: Сб. СК-20, ОЛМИ-ЧувГУ, 1980.
Подписка на рассылку